MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT65R045D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 38 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-968
- Referência do fabricante:
- IGT65R045D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 351-968
- Referência do fabricante:
- IGT65R045D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.054Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 131W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.054Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 131W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este CoolGaN de Infineon es un transistor de nitruro de galio (GaN) altamente eficiente diseñado para la conversión de potencia. Permite una mayor densidad de potencia, reduce el coste de la lista de materiales del sistema (BOM) y facilita los factores de forma miniaturizados. Fabricado con tecnología de obleas y líneas de producción totalmente automatizadas, presenta estrechas tolerancias de producción y la máxima calidad de producto. Esto lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones, desde la electrónica de consumo hasta las aplicaciones industriales.
Transistor de modo de mejora
Conmutación ultrarrápida
Sin carga de recuperación inversa
Capacidad de conducción inversa
Baja carga de puerta y de salida
Mayor robustez de conmutación
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