MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 81 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4892
- Referência do fabricante:
- IRFP054NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 919-4892
- Referência do fabricante:
- IRFP054NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 81A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 130nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Altura | 20.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 81A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.9mm | ||
Altura 20.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 81 A, disipación de potencia máxima de 170 W - IRFP054NPBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de energía de este dispositivo?
¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?
¿Puede utilizarse este MOSFET en entornos de alta temperatura?
¿Cuáles son las ventajas de utilizar un RDS(on) bajo?
¿Es fácil de instalar en los sistemas electrónicos existentes?
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