MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 81 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 919-4892
Referência do fabricante:: IRFP054NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 81 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:: 919-4892
Referência do fabricante:: IRFP054NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	81A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	12mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	170W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	130nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	20.3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	5.3 mm
	Longitud	15.9mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 81A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 170W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 20.3mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 5.3 mm
	Longitud 15.9mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 81 A, disipación de potencia máxima de 170 W - IRFP054NPBF

Este MOSFET ofrece una solución robusta para un rendimiento de alta velocidad y una gestión eficiente de la energía. Con su configuración de canal N, el dispositivo garantiza un funcionamiento fiable en diversos circuitos electrónicos. Admite corrientes de drenaje continuas de hasta 81 A y tiene una tensión nominal de 55 V, lo que la convierte en una opción notable para los profesionales de los sectores de la automatización, la electrónica y la mecánica.

Características y ventajas

• La corriente de drenaje continua máxima de 81 A admite aplicaciones de alto rendimiento

• La baja resistencia a la conexión de 12mΩ contribuye a mejorar la eficiencia

• El amplio rango de tensión umbral de puerta permite diseños de circuitos versátiles

• La alta capacidad de disipación de potencia de 170 W garantiza un funcionamiento duradero

• El compacto encapsulado TO-247AC simplifica la instalación

Aplicaciones

• Utilizados en sistemas de conversión de potencia y control de motores

• Integrado en los circuitos de alimentación y amplificación

• Aplicable en sistemas de energías renovables para una conmutación eficiente

• Adecuado para automoción , mejora la resistencia de las prestaciones

¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de energía de este dispositivo?

La potencia máxima disipada es de 170 W, lo que le permite gestionar cargas importantes con eficacia.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?

La tensión de umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V, lo que permite la compatibilidad con diversos diseños de circuitos y garantiza un funcionamiento eficaz dentro de los parámetros especificados.

¿Puede utilizarse este MOSFET en entornos de alta temperatura?

Sí, funciona en un rango de temperatura de -55 °C a +175 °C, lo que la hace adecuada para condiciones térmicas difíciles.

¿Cuáles son las ventajas de utilizar un RDS(on) bajo?

Un bajo RDS(on) de 12mΩ reduce la generación de calor y mejora la eficiencia, algo fundamental para las aplicaciones de alto rendimiento.

¿Es fácil de instalar en los sistemas electrónicos existentes?

El tipo de encapsulado TO-247AC está diseñado para el montaje a través de orificios, lo que facilita su instalación en diversas aplicaciones.