MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP054NPBF, VDSS 55 V, ID 81 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 541-1253
- Referência do fabricante:
- IRFP054NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 541-1253
- Referência do fabricante:
- IRFP054NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 81A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 130nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.3mm | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 81A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.3mm | ||
Anchura 5.3mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 81 A, disipación de potencia máxima de 170 W - IRFP054NPBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es la capacidad máxima de disipación de energía de este dispositivo?
¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?
¿Puede utilizarse este MOSFET en entornos de alta temperatura?
¿Cuáles son las ventajas de utilizar un RDS(on) bajo?
¿Es fácil de instalar en los sistemas electrónicos existentes?
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