MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 160 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
907-4996
Número do artigo Distrelec:
304-44-460
Referência do fabricante:
IRFP1405PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

160A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

310W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

120nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

19.71 mm

Longitud

15.29mm

Altura

5.31mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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