MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 919-4808
Referência do fabricante:: IRFP064NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:: 919-4808
Referência do fabricante:: IRFP064NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

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Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	110A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	TO-247
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	170nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	200W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	20.3mm
	Longitud	15.9mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 110A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado TO-247
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 200W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 20.3mm
	Longitud 15.9mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 110 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRFP064NPBF

Este MOSFET representa un componente electrónico de alto rendimiento diseñado para una gestión eficiente de la energía. Puede manejar una corriente de drenaje continua de 110 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, lo que lo hace adecuado para su uso en automatización, electrónica e industrias eléctricas. El diseño del modo de mejora garantiza un rendimiento óptimo en diversas condiciones, lo que pone de relieve su papel en los sistemas electrónicos contemporáneos.

Características y ventajas

• La baja resistencia a la conexión de 8mΩ mejora la eficiencia

• La disipación de potencia máxima de 200 W garantiza un funcionamiento robusto

• Capaz de soportar temperaturas de funcionamiento de hasta +175°C

• Versátil, compatible con tensiones de puerta-fuente tanto negativas como positivas

• La configuración de un solo transistor admite una gran variedad de aplicaciones

Aplicaciones

• Se utiliza en circuitos de alimentación que requieren alta eficiencia

• Común en los sistemas de control de motores para automatización

• Adecuado para equipos de telecomunicaciones

• Eficaz en sistemas de conversión de energía en entornos industriales

¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?

La disipación de potencia máxima es de 200 W, lo que permite un rendimiento sólido en diversas aplicaciones.

¿Puede funcionar en entornos con altas temperaturas?

Sí, es capaz de funcionar eficazmente a temperaturas de hasta +175 °C, lo que la hace adecuada para condiciones difíciles.

¿Qué tipo de tensión de puerta se necesita para el funcionamiento?

Este dispositivo funciona con un rango máximo de tensión puerta-fuente de -20 V a +20 V, lo que permite opciones de control flexibles.

¿Cómo influye el tipo de canal en su rendimiento?

El tipo de canal N es beneficioso para aplicaciones que necesitan una conmutación eficiente y un manejo de alta corriente.

¿Es adecuado para integraciones con diseño de orificios pasantes?

Sí, tiene un encapsulado TO-247AC con un tipo de montaje de orificio pasante, lo que facilita la instalación en diversas configuraciones.