MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R034M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines

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Código RS:
351-928
Referência do fabricante:
IMZC120R034M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

89mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

244W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Longitud

23.1mm

Anchura

15.6 mm

Certificaciones y estándares

JEDEC47/20/22

Estándar de automoción

No

Este MOSFET CoolSiC discreto de Infineon con encapsulado con alta fuga de corriente aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación con una mejora significativa que proporciona una solución avanzada para un sistema más rentable, eficiente, compacto, fácil de diseñar y fiable. Rendimiento mejorado tanto en funcionamiento de conmutación dura como en topologías de conmutación suave para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.

Mejor eficiencia energética

Optimización de la refrigeración

Mayor densidad de potencia

Nuevas características de robustez

Gran fiabilidad

Paralelismo fácil

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