MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R034M2HXKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 55 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- Código RS:
- 351-928
- Referência do fabricante:
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
11,29 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 240 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 11,29 € |
| 10 - 99 | 10,15 € |
| 100 + | 9,37 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 351-928
- Referência do fabricante:
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 89mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 244W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 15.6mm | |
| Longitud | 23.1mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 89mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 244W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 15.6mm | ||
Longitud 23.1mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie IMZC120 de Infineon, disipación de potencia máxima de 244 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 1200 V - IMZC120R034M2HXKSA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para la conversión y el control de potencia en entornos industriales exigentes. Se trata de un dispositivo de canal N de modo de mejora diseñado para manejar tensiones de fuente de drenaje elevadas y una corriente continua considerable, lo que lo convierte en adecuado para funciones en las que se requieren una conmutación de alta tensión robusta y una resistencia térmica.
Características y ventajas:
• 1200 V Vds permite el uso de sistemas de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 55 A admite conmutación de carga pesada
• La Rds(on) de 89 mΩ reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 244 W permite un rendimiento térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 45 nC mejora el control de velocidad de conmutación
• La corriente de drenaje continua de 55 A admite conmutación de carga pesada
• La Rds(on) de 89 mΩ reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 244 W permite un rendimiento térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 45 nC mejora el control de velocidad de conmutación
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de alta tensión en accionamientos industriales
• Ideal para fuentes de alimentación que requieren conmutación de alta tensión
• Se utiliza con controladores de motor grandes que requieren un manejo de alta corriente
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en convertidores
• Ideal para fuentes de alimentación que requieren conmutación de alta tensión
• Se utiliza con controladores de motor grandes que requieren un manejo de alta corriente
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en convertidores
¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza para el montaje?
Se suministra en un encapsulado PG-TO-247-4-U07 configurado para montaje en orificio pasante para facilitar una fijación segura de la placa y una conexión térmica robusta a los disipadores.
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar durante el funcionamiento?
Funciona en un amplio rango de –55 a 200 °C, lo que permite su uso en condiciones térmicas extremas y temperaturas de unión elevadas.
¿Cuántos contactos hay y qué implica eléctricamente?
El dispositivo tiene cuatro contactos, que admiten disposiciones de puerta, drenaje y fuente doble o pestaña típicas de encapsulados MOSFET de potencia para una integración de circuito flexible.
¿Qué pruebas estándar del sector se aplican a su calificación?
Cumple los estándares JEDEC47/20/22, lo que indica el cumplimiento de protocolos de prueba de fiabilidad térmica y mecánica establecidos.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R012M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R026M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 49 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R017M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 69 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R022M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 80 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R053M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 27 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R040M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 34 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZC120R078M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon AIMZH120R040M1TXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, PG-TO-247-4-STD-NT6,7 de 4 pines