MOSFET, N-Canal Infineon IRFP064NPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 541-0008
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-342
- Referência do fabricante:
- IRFP064NPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
3,35 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 68 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 100 unidade(s) para enviar a partir do dia 27 de outubro de 2026
- Mais 800 unidade(s) para enviar a partir do dia 17 de dezembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 3,35 € |
| 5 - 9 | 3,00 € |
| 10 - 14 | 2,84 € |
| 15 - 19 | 2,68 € |
| 20 + | 2,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 541-0008
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-342
- Referência do fabricante:
- IRFP064NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Altura | 20.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.3mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Altura 20.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 110 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRFP064NPBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?
¿Puede funcionar en entornos con altas temperaturas?
¿Qué tipo de tensión de puerta se necesita para el funcionamiento?
¿Cómo influye el tipo de canal en su rendimiento?
¿Es adecuado para integraciones con diseño de orificios pasantes?
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 160 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 81 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRFP054NPBF, VDSS 55 V, ID 81 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRFP1405PBF, VDSS 55 V, ID 160 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF3205ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
