MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP064NPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 541-0008
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-342
- Referência do fabricante:
- IRFP064NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 541-0008
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-342
- Referência do fabricante:
- IRFP064NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 20.3mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 20.3mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 110 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRFP064NPBF
Este MOSFET representa un componente electrónico de alto rendimiento diseñado para una gestión eficiente de la energía. Puede manejar una corriente de drenaje continua de 110 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, lo que lo hace adecuado para su uso en automatización, electrónica e industrias eléctricas. El diseño del modo de mejora garantiza un rendimiento óptimo en diversas condiciones, lo que pone de relieve su papel en los sistemas electrónicos contemporáneos.
Características y ventajas
• La baja resistencia a la conexión de 8mΩ mejora la eficiencia
• La disipación de potencia máxima de 200 W garantiza un funcionamiento robusto
• Capaz de soportar temperaturas de funcionamiento de hasta +175°C
• Versátil, compatible con tensiones de puerta-fuente tanto negativas como positivas
• La configuración de un solo transistor admite una gran variedad de aplicaciones
Aplicaciones
• Se utiliza en circuitos de alimentación que requieren alta eficiencia
• Común en los sistemas de control de motores para automatización
• Adecuado para equipos de telecomunicaciones
• Eficaz en sistemas de conversión de energía en entornos industriales
¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?
La disipación de potencia máxima es de 200 W, lo que permite un rendimiento sólido en diversas aplicaciones.
¿Puede funcionar en entornos con altas temperaturas?
Sí, es capaz de funcionar eficazmente a temperaturas de hasta +175 °C, lo que la hace adecuada para condiciones difíciles.
¿Qué tipo de tensión de puerta se necesita para el funcionamiento?
Este dispositivo funciona con un rango máximo de tensión puerta-fuente de -20 V a +20 V, lo que permite opciones de control flexibles.
¿Cómo influye el tipo de canal en su rendimiento?
El tipo de canal N es beneficioso para aplicaciones que necesitan una conmutación eficiente y un manejo de alta corriente.
¿Es adecuado para integraciones con diseño de orificios pasantes?
Sí, tiene un encapsulado TO-247AC con un tipo de montaje de orificio pasante, lo que facilita la instalación en diversas configuraciones.
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