MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI3993CDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 812-3189
- Referência do fabricante:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 812-3189
- Referência do fabricante:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 188mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 188mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 3.1mm | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A - SI3993CDV-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal P de montaje en superficie diseñado para aplicaciones compactas y de baja potencia. Funciona en un rango de tensión modesto y está diseñado para tareas de conmutación eficientes en las que se requiere una configuración de transistor aislado de dos elementos. El componente se suministra en un encapsulado TSOP delgado adecuado para la integración a nivel de placa en sistemas de control electrónicos.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje máxima de 30 V permite una conmutación segura de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 2,3 A admite corrientes de carga moderadas
• El bajo RDS(on) de 188 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 5,2 nC permite una conmutación de puerta rápida
• La disipación de potencia de 1,4 W permite un funcionamiento de ciclo de trabajo
• El diseño de elemento doble aislado permite implementaciones de canal dividido
• La corriente de drenaje continua de 2,3 A admite corrientes de carga moderadas
• El bajo RDS(on) de 188 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 5,2 nC permite una conmutación de puerta rápida
• La disipación de potencia de 1,4 W permite un funcionamiento de ciclo de trabajo
• El diseño de elemento doble aislado permite implementaciones de canal dividido
Aplicaciones
• Apto para el control de motores de baja tensión en módulos de automatización
• Ideal para conmutación de potencia en fuentes de alimentación compactas
• Se utiliza para conmutación de carga en sistemas de control integrados
• Puede utilizarse para el control de polaridad en circuitos de gestión de baterías
• Ideal para conmutación de potencia en fuentes de alimentación compactas
• Se utiliza para conmutación de carga en sistemas de control integrados
• Puede utilizarse para el control de polaridad en circuitos de gestión de baterías
¿Qué rango térmico se puede esperar durante el funcionamiento?
El dispositivo está diseñado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en entornos de temperatura extendida.
¿Cómo admite el encapsulado el montaje de la placa?
El formato de montaje en superficie TSOP con seis contactos facilita la colocación y la soldadura automatizadas en placas densamente pobladas.
¿Puede la puerta manejar tensiones de control más altas?
La puerta no debe superar 20 V máximo para evitar dañar el óxido de la puerta y para mantener el rendimiento especificado.
¿Admite el dispositivo configuraciones de varios elementos en un solo chip?
Sí, contiene dos elementos por chip en una configuración aislada, lo que permite disposiciones de conmutación emparejadas sin aislamiento externo.
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