Referência do fabricante

MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI3585CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.9 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 180-7911
Referência do fabricante:: SI3585CDV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI3585CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.9 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 180-7911
Referência do fabricante:: SI3585CDV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.2nC
	Disipación de potencia máxima Pd	1.4W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1mm
	Longitud	3.05mm
	Anchura	1.65 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado TSOP
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.2nC
	Disipación de potencia máxima Pd 1.4W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1mm
	Longitud 3.05mm
	Anchura 1.65 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V. El MOSFET tiene una resistencia de fuente de drenaje de 58mohm mA con una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene corrientes de drenaje continuo de 3,9A A y 2,1A A. Tiene una potencia nominal máxima de 1,4W W y 1,3W W. Se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• convertidores dc/dc

• Controladores: Motor, solenoide, relé

• Interruptor de carga para dispositivos portátiles

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado