MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI3993CDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.

Código RS:: 165-6919
Referência do fabricante:: SI3993CDV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI3993CDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Código RS:: 165-6919
Referência do fabricante:: SI3993CDV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	TSOP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	188mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	1.4W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	5.2nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1mm
	Anchura	1.7mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.1mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado TSOP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 188mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 1.4W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.2nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1mm
	Anchura 1.7mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.1mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET de potencia serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A - SI3993CDV-T1-GE3

Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal P de montaje en superficie diseñado para aplicaciones compactas y de baja potencia. Funciona en un rango de tensión modesto y está diseñado para tareas de conmutación eficientes en las que se requiere una configuración de transistor aislado de dos elementos. El componente se suministra en un encapsulado TSOP delgado adecuado para la integración a nivel de placa en sistemas de control electrónicos.

Características y ventajas:

• La tensión de drenaje máxima de 30 V permite una conmutación segura de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 2,3 A admite corrientes de carga moderadas
• El bajo RDS(on) de 188 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 5,2 nC permite una conmutación de puerta rápida
• La disipación de potencia de 1,4 W permite un funcionamiento de ciclo de trabajo
• El diseño de elemento doble aislado permite implementaciones de canal dividido

Aplicaciones

• Apto para el control de motores de baja tensión en módulos de automatización
• Ideal para conmutación de potencia en fuentes de alimentación compactas
• Se utiliza para conmutación de carga en sistemas de control integrados
• Puede utilizarse para el control de polaridad en circuitos de gestión de baterías

¿Qué rango térmico se puede esperar durante el funcionamiento?

El dispositivo está diseñado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en entornos de temperatura extendida.

¿Cómo admite el encapsulado el montaje de la placa?

El formato de montaje en superficie TSOP con seis contactos facilita la colocación y la soldadura automatizadas en placas densamente pobladas.

¿Puede la puerta manejar tensiones de control más altas?

La puerta no debe superar 20 V máximo para evitar dañar el óxido de la puerta y para mantener el rendimiento especificado.

¿Admite el dispositivo configuraciones de varios elementos en un solo chip?

Sí, contiene dos elementos por chip en una configuración aislada, lo que permite disposiciones de conmutación emparejadas sin aislamiento externo.