MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 818-1302
- Referência do fabricante:
- SI4909DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
17,34 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 4940 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,867 € | 17,34 € |
| 100 - 180 | 0,736 € | 14,72 € |
| 200 - 480 | 0,624 € | 12,48 € |
| 500 - 980 | 0,58 € | 11,60 € |
| 1000 + | 0,555 € | 11,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 818-1302
- Referência do fabricante:
- SI4909DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 34mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.2W | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Anchura | 4 mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.55mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.2W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Anchura 4 mm | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.55mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 40 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI4946BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4925DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI9933CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4559ADY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado