MOSFET Vishay SI5515CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos

El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y resistencia de fuente de drenaje de 36mohm mA a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una potencia nominal máxima de 3,1W W. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 4A A. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado