MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI9933CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 710-3395
- Referência do fabricante:
- SI9933CDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 710-3395
- Referência do fabricante:
- SI9933CDY-T1-GE3
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- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 58mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.55mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 58mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.55mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
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