MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 812-3108
- Referência do fabricante:
- SI1967DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 fita de 50 unidades)*
13,05 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 400 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,261 € | 13,05 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 812-3108
- Referência do fabricante:
- SI1967DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 790mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 790mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 700 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 700 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si1416EDH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3.9 A, Mejora, SC-88 de 6 pines
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI1034CX-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 0.5 A, SC-89, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble