MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

8,26 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • 20 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
  • Última(s) 2965 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de janeiro de 2026
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 451,652 €8,26 €
50 - 2451,42 €7,10 €
250 - 4951,154 €5,77 €
500 - 12450,96 €4,80 €
1250 +0,876 €4,38 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
787-9008
Referência do fabricante:
SI4948BEY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.5nC

Tensión directa Vf

-0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

2.4W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Aislado

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados