MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
787-9008
Referência do fabricante:
SI4948BEY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.4W

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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