MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4554DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

5,46 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 +0,546 €5,46 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
787-9238
Referência do fabricante:
SI4554DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

34mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados