MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
919-4198
Referência do fabricante:
SI4948BEY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

2.4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1.5mm

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
TW

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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