MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 812-3233
- Referência do fabricante:
- SI4599DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 812-3233
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- SI4599DY-T1-GE3
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | Si4599DY | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.045Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Altura | 1.55mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC JS709A, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie Si4599DY | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.045Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Altura 1.55mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC JS709A, RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
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