MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
812-3233
Referência do fabricante:
SI4599DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

Si4599DY

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.045Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1.55mm

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

JEDEC JS709A, RoHS

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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