MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4559ADY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 710-3345
- Referência do fabricante:
- SI4559ADY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
2,42 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
A ser descontinuado
- 5 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Última(s) 3675 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de janeiro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,484 € | 2,42 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 710-3345
- Referência do fabricante:
- SI4559ADY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 72mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.4W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 72mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.4W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI9945BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4559ADY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI4564DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4554DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado