MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4925DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

4,99 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 75 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
  • Mais 6550 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 450,998 €4,99 €
50 - 2450,938 €4,69 €
250 - 4950,852 €4,26 €
500 - 12450,798 €3,99 €
1250 +0,748 €3,74 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
787-9052
Referência do fabricante:
SI4925DDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

41mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados