MOSFET, N-Canal Infineon 2N7002H6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 300 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 752-7773
- Número do artigo Distrelec:
- 304-45-298
- Referência do fabricante:
- 2N7002H6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
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- 752-7773
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- 304-45-298
- Referência do fabricante:
- 2N7002H6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, resistencia de fuente de drenaje máxima de 4 Ω - 2N7002H6327XTSA2
Características y ventajas:
• La Rds(on) máxima de 4 Ω reduce las pérdidas por conducción a corrientes bajas
• La corriente de drenaje continua de 300 mA admite cargas de señal pequeña
• La carga de puerta típica de 0,4 nC proporciona transiciones de conmutación rápidas
• La tolerancia de puerta-fuente de 20 V permite tensiones de accionamiento flexibles
• La disipación de potencia de 500 mW gestiona la carga térmica en diseños compactos
Aplicaciones
• Ideal para circuitos de interfaz de sensor alimentados por batería
• Se utiliza con relés pequeños y conmutación de sustitución de transistor
• Puede utilizarse para circuitos de protección en electrónica de consumo
• Apto para módulos compactos de gestión de potencia en placas
¿Qué tipo de encapsulado debo esperar para la planificación de la disposición de la placa?
¿Cómo influye la temperatura en la capacidad operativa?
¿Qué dimensiones de huella mecánica importan para la separación de componentes?
¿Cuántos terminales están disponibles para esquemas y enrutamiento?
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