MOSFET, N-Canal Infineon 2N7002H6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 300 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 752-7773
- Número do artigo Distrelec:
- 304-45-298
- Referência do fabricante:
- 2N7002H6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 752-7773
- Número do artigo Distrelec:
- 304-45-298
- Referência do fabricante:
- 2N7002H6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.3mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, resistencia de fuente de drenaje máxima de 4 Ω - 2N7002H6327XTSA2
Este MOSFET de mejora de canal N de señal pequeña está diseñado para conmutación de alta velocidad en aplicaciones de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango ambiente y proporciona un elemento de conmutación compacto para circuitos de baja corriente donde se requiere conducción controlada y respuesta de puerta rápida.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 60 V permite una conmutación de tensión superior
• La Rds(on) máxima de 4 Ω reduce las pérdidas por conducción a corrientes bajas
• La corriente de drenaje continua de 300 mA admite cargas de señal pequeña
• La carga de puerta típica de 0,4 nC proporciona transiciones de conmutación rápidas
• La tolerancia de puerta-fuente de 20 V permite tensiones de accionamiento flexibles
• La disipación de potencia de 500 mW gestiona la carga térmica en diseños compactos
• La Rds(on) máxima de 4 Ω reduce las pérdidas por conducción a corrientes bajas
• La corriente de drenaje continua de 300 mA admite cargas de señal pequeña
• La carga de puerta típica de 0,4 nC proporciona transiciones de conmutación rápidas
• La tolerancia de puerta-fuente de 20 V permite tensiones de accionamiento flexibles
• La disipación de potencia de 500 mW gestiona la carga térmica en diseños compactos
Aplicaciones
• Adecuado para el cambio de nivel y la conmutación de señal en unidades de control
• Ideal para circuitos de interfaz de sensor alimentados por batería
• Se utiliza con relés pequeños y conmutación de sustitución de transistor
• Puede utilizarse para circuitos de protección en electrónica de consumo
• Apto para módulos compactos de gestión de potencia en placas
• Ideal para circuitos de interfaz de sensor alimentados por batería
• Se utiliza con relés pequeños y conmutación de sustitución de transistor
• Puede utilizarse para circuitos de protección en electrónica de consumo
• Apto para módulos compactos de gestión de potencia en placas
¿Qué tipo de encapsulado debo esperar para la planificación de la disposición de la placa?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT-23, lo que facilita la colocación en placas densas.
¿Cómo influye la temperatura en la capacidad operativa?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos hostiles y con temperaturas elevadas.
¿Qué dimensiones de huella mecánica importan para la separación de componentes?
El componente mide 2,9 x 1,3 x 1 mm, lo que resulta útil al calcular la separación y la colocación de componentes adyacentes.
¿Cuántos terminales están disponibles para esquemas y enrutamiento?
El dispositivo tiene tres contactos compatibles con la topología MOSFET de un canal para un enrutamiento sencillo.
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