MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0548
- Referência do fabricante:
- BSS159NH6906XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 250-0548
- Referência do fabricante:
- BSS159NH6906XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon hace que el transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N se utilice ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Se trata de un transistor de señal pequeña SIPMOS. Tiene un valor nominal dv /dt, disponible con indicador V GS(th) en el carrete. Es 100 % sin plomo; Sin halógenos.
VDS es de 60 V, RDS(on), máx. 8 Ω e IDSS, mín. 0,13 A
La disipación de potencia máxima es de 360 mW
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