MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 0.23 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0555
- Referência do fabricante:
- BSS306NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
183,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 15.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,061 € | 183,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 250-0555
- Referência do fabricante:
- BSS306NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | BSS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie BSS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor MOSFET de señal pequeña de modo de mejora de canal N de Infineon se utiliza ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Este dispositivo es OptiMOS 2, transistor de señal pequeña. Nivel lógico (valor nominal de 4,5 V) y clasificación de avalancha. 100 % sin plomo y sin halógenos.
Canal N, modo de mejora
Nivel lógico de 4,5 V nominal
Disipación de potencia máxima de 500 mW
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS306NH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 0.23 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.18 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 1.18 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines