MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 300 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
124-9035
Referência do fabricante:
2N7002H6327XTSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.4nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.3mm

Longitud

2.9mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, resistencia de fuente de drenaje máxima de 4 Ω - 2N7002H6327XTSA2


Este MOSFET de mejora de canal N de señal pequeña está diseñado para conmutación de alta velocidad en aplicaciones de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango ambiente y proporciona un elemento de conmutación compacto para circuitos de baja corriente donde se requiere conducción controlada y respuesta de puerta rápida.

Características y ventajas:


• La potencia nominal de drenaje-fuente de 60 V permite una conmutación de tensión superior
• La Rds(on) máxima de 4 Ω reduce las pérdidas por conducción a corrientes bajas
• La corriente de drenaje continua de 300 mA admite cargas de señal pequeña
• La carga de puerta típica de 0,4 nC proporciona transiciones de conmutación rápidas
• La tolerancia de puerta-fuente de 20 V permite tensiones de accionamiento flexibles
• La disipación de potencia de 500 mW gestiona la carga térmica en diseños compactos

Aplicaciones


• Adecuado para el cambio de nivel y la conmutación de señal en unidades de control
• Ideal para circuitos de interfaz de sensor alimentados por batería
• Se utiliza con relés pequeños y conmutación de sustitución de transistor
• Puede utilizarse para circuitos de protección en electrónica de consumo
• Apto para módulos compactos de gestión de potencia en placas

¿Qué tipo de encapsulado debo esperar para la planificación de la disposición de la placa?


Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT-23, lo que facilita la colocación en placas densas.

¿Cómo influye la temperatura en la capacidad operativa?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos hostiles y con temperaturas elevadas.

¿Qué dimensiones de huella mecánica importan para la separación de componentes?


El componente mide 2,9 x 1,3 x 1 mm, lo que resulta útil al calcular la separación y la colocación de componentes adyacentes.

¿Cuántos terminales están disponibles para esquemas y enrutamiento?


El dispositivo tiene tres contactos compatibles con la topología MOSFET de un canal para un enrutamiento sencillo.

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