MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
244-2274
Referência do fabricante:
ISS17EP06LMXTSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

ISS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal P de Infineon ofrece flexibilidad de diseño y facilidad de manejo para cumplir los requisitos de rendimiento más altos, entre los que se incluyen la gama de productos de 12V V que son ideales para protección de batería, protección contra polaridad inversa, cargadores de batería lineal, conmutación de carga, convertidores dc-dc, y aplicaciones de accionamiento de baja tensión.

Canal P.

Baja resistencia de conexión RDS(on)

100 % a prueba de avalancha

Nivel lógico o nivel normal

Modo de mejora

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Libre de halógenos según IEC61249-2-21

Links relacionados