MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-7766
- Referência do fabricante:
- IRLML6246TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
300,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 27 de setembro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,10 € | 300,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,098 € | 294,00 € |
| 15000 + | 0,095 € | 285,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-7766
- Referência do fabricante:
- IRLML6246TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 66mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -12, +12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 66mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -12, +12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 4,1 A - IRLML6246TRPBF
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N compacto diseñado para conmutación de baja tensión en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y admite niveles de accionamiento de puerta compatibles con circuitos de control comunes. El encapsulado y las características eléctricas lo convierten en adecuado para placas con espacio limitado que requieren un rendimiento de conmutación eficiente sin requisitos de manejo de potencia elevados.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 20 V permite aplicaciones de conmutación de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 4,1 A admite corrientes de carga moderadas
• La baja resistencia de encendido de 66 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 3,5 nC permite transiciones de conmutación más rápidas
• La disipación de potencia máxima de 1,3 W se adapta a presupuestos térmicos limitados
• La tolerancia de fuente de puerta de hasta 12 V permite márgenes de accionamiento robustos
• La corriente de drenaje continua de 4,1 A admite corrientes de carga moderadas
• La baja resistencia de encendido de 66 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 3,5 nC permite transiciones de conmutación más rápidas
• La disipación de potencia máxima de 1,3 W se adapta a presupuestos térmicos limitados
• La tolerancia de fuente de puerta de hasta 12 V permite márgenes de accionamiento robustos
Aplicaciones
• Adecuado para la conmutación de gestión de baterías en sistemas portátiles
• Ideal para conmutación de carga en módulos de distribución de potencia
• Se utiliza con controladores de puerta en etapas de baja tensión de control de motor
• Puede utilizarse para la conmutación síncrona del convertidor dc-dc
• Adecuado para conmutación de alta velocidad de nivel de señal en circuitos de control
• Ideal para conmutación de carga en módulos de distribución de potencia
• Se utiliza con controladores de puerta en etapas de baja tensión de control de motor
• Puede utilizarse para la conmutación síncrona del convertidor dc-dc
• Adecuado para conmutación de alta velocidad de nivel de señal en circuitos de control
¿Qué extremos térmicos puede tolerar este dispositivo en funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos con amplias fluctuaciones de temperatura.
¿Cómo influye el encapsulado en el diseño y el montaje de la placa de circuito impreso?
El formato de montaje en superficie SOT-23 con tres contactos reduce el área de la placa y admite procesos automatizados de recogida y colocación y reflujo.
¿Cuál es el comportamiento esperado con tensiones de puerta más altas?
El dispositivo limita los valores nominales de fuente de puerta a un máximo de 12 V, por lo que los accionamientos de puerta deben permanecer dentro de este umbral para evitar la tensión de óxido de puerta.
¿Cómo funciona el dispositivo con carga continua?
La corriente de drenaje continua tiene un valor nominal de 4,1 A, mientras que la disipación térmica está limitada a 1,3 W, por lo que se necesita una superficie de cobre o un disipador térmico adecuado para mantener temperaturas de unión seguras.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML6246TRPBF, VDSS 20 V, ID 4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2389ES-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID -4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ2389CES-T1_GE3, VDSS -40 V, ID -4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.18 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines