MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFZ48NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-263

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

3,17 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 568 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 181,585 €3,17 €
20 - 481,42 €2,84 €
50 - 981,33 €2,66 €
100 - 1981,25 €2,50 €
200 +1,16 €2,32 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
258-3990
Número do artigo Distrelec:
304-40-547
Referência do fabricante:
IRFZ48NSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.014Ω

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

81nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia Infineon HEXFET de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación de montaje en superficie capaz de alojar tamaños de matriz de hasta HEX-4. Proporciona la capacidad de potencia más alta y la resistencia de conexión más baja posible en cualquier encapsulado de montaje en superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje en superficie típica.

Tecnología de procesos avanzada

Montaje en superficie

Orificio pasante de perfil bajo

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Valor nominal de avalancha total

Links relacionados