MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263
- Código RS:
- 260-5058
- Referência do fabricante:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-5058
- Referência do fabricante:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 15.88mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 15.88mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal P de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido muy baja
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax
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