MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263
- Código RS:
- 260-5058
- Referência do fabricante:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-5058
- Referência do fabricante:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Altura | 15.88mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Altura 15.88mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal P de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido muy baja
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax
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