MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-263
- Código RS:
- 258-3989
- Referência do fabricante:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,64 € | 512,00 € |
| 1600 - 1600 | 0,608 € | 486,40 € |
| 2400 + | 0,583 € | 466,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3989
- Referência do fabricante:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.014Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 81nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.014Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 81nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia Infineon HEXFET de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D2Pak es un encapsulado de alimentación de montaje en superficie capaz de alojar tamaños de matriz de hasta HEX-4. Proporciona la capacidad de potencia más alta y la resistencia de conexión más baja posible en cualquier encapsulado de montaje en superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación de montaje en superficie típica.
Tecnología de procesos avanzada
Montaje en superficie
Orificio pasante de perfil bajo
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
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