MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 51 A, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

482,40 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 800 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
800 - 8000,603 €482,40 €
1600 - 16000,573 €458,40 €
2400 +0,537 €429,60 €

*preço indicativo

Código RS:
214-4463
Referência do fabricante:
IRFZ46ZSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

82W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon de potencia IRFET resistente está optimizado para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Es ideal para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia.

Está optimizado para rectificación síncrona

Links relacionados