MOSFET, Tipo P-Canal Infineon AUIRF4905STRL, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263
- Código RS:
- 260-5059
- Referência do fabricante:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
6,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 210 unidade(s) para enviar a partir do dia 29 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,20 € |
| 10 - 24 | 5,89 € |
| 25 - 49 | 5,77 € |
| 50 - 99 | 5,40 € |
| 100 + | 5,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 260-5059
- Referência do fabricante:
- AUIRF4905STRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 15.88mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 15.88mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal P de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido muy baja
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -42 A, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 70 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 19 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF9Z34NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 19 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF4905STRLPBF, VDSS 55 V, ID 70 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF5305STRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-263