MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-263
- Código RS:
- 217-2635
- Referência do fabricante:
- IRL3705NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2635
- Referência do fabricante:
- IRL3705NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 89A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 98nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Altura | 17.79mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 89A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Altura 17.79mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 55V de MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D2-Pak.
Estructura de celda plana para SOA amplio
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Encapsulado con capacidad de transporte de alta corriente (hasta 195 A, en función del tamaño de la matriz)
Capaz de soldarse por ola
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