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MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-263 de 3 pines

Name: MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-263 de 3 pines
Brand: Infineon
SKU: 217-2635
Availability: InStock

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	89A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	10mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	98nC
	Disipación de potencia máxima Pd	170W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.67mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.83mm
	Altura	17.79mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 89A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC
	Disipación de potencia máxima Pd 170W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.67mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.83mm
	Altura 17.79mm
	Estándar de automoción No

El Infineon 55V de MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D2-Pak.

Estructura de celda plana para SOA amplio

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Encapsulado con capacidad de transporte de alta corriente (hasta 195 A, en función del tamaño de la matriz)

Capaz de soldarse por ola

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