MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2635
- Referência do fabricante:
- IRL3705NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
660,80 €
Adicione 800 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 09 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,826 € | 660,80 € |
| 1600 + | 0,784 € | 627,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 217-2635
- Referência do fabricante:
- IRL3705NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 89A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 98nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Altura | 17.79mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 89A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Altura 17.79mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 55V de MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D2-Pak.
Estructura de celda plana para SOA amplio
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Encapsulado con capacidad de transporte de alta corriente (hasta 195 A, en función del tamaño de la matriz)
Capaz de soldarse por ola
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRL3705NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLR3705ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 131 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF1405STRLPBF, VDSS 55 V, ID 131 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFZ48NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 51 A, TO-263 de 3 pines