MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 159 A, PQFN
- Código RS:
- 257-9381
- Referência do fabricante:
- IRFH7440TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9381
- Referência do fabricante:
- IRFH7440TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 159A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 92nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6 mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 159A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 92nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6 mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFH de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 40 V en un encapsulado PQFN 5x6. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible
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