MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 20 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 229-1849
- Referência do fabricante:
- IPZ40N04S53R1ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
1 430,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 20.000 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,286 € | 1 430,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 229-1849
- Referência do fabricante:
- IPZ40N04S53R1ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPZ | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPZ | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de nivel normal de canal N Infineon se utiliza para aplicaciones de automoción. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.
Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S53R1ATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S55R4ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S58R4ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 105 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUZ40N10S5N130ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines