MOSFET, N-Canal Infineon IRFH7440TRPBF, VDSS 40 V, ID 159 A, Mejora, PQFN
- Código RS:
- 257-9382
- Referência do fabricante:
- IRFH7440TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
8,58 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 3915 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,716 € | 8,58 € |
| 50 - 120 | 1,546 € | 7,73 € |
| 125 - 245 | 1,44 € | 7,20 € |
| 250 - 495 | 1,34 € | 6,70 € |
| 500 + | 1,234 € | 6,17 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-9382
- Referência do fabricante:
- IRFH7440TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 159A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 92nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 900μm | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 159A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 92nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 900μm | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 159 A - IRFH7440TRPBF
Este MOSFET es un transistor de potencia de canal N de modo de mejora diseñado para conmutación de alta corriente en aplicaciones de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y cumple los requisitos RoHS, por lo que es adecuado para entornos en los que se requiere una conmutación compacta de baja resistencia sin restricciones de certificación de automoción.
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 2,4 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• El Pd 104W permite un manejo de potencia sostenido
• La corriente continua de 159 A admite cargas pesadas
• La carga de puerta de 92 nC equilibra la velocidad de accionamiento y el control
• 20 V Vgs máx. proporciona protección contra sobretensión de puerta
• El Pd 104W permite un manejo de potencia sostenido
• La corriente continua de 159 A admite cargas pesadas
• La carga de puerta de 92 nC equilibra la velocidad de accionamiento y el control
• 20 V Vgs máx. proporciona protección contra sobretensión de puerta
Aplicaciones
• Apto para etapas de potencia dc de alta corriente
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con sistemas de gestión térmica compactos
• Se puede utilizar para patas de inversor de accionamiento por motor
• Se utiliza para rectificación síncrona en convertidores
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con sistemas de gestión térmica compactos
• Se puede utilizar para patas de inversor de accionamiento por motor
• Se utiliza para rectificación síncrona en convertidores
¿Qué estilo de montaje requiere?
Se suministra en un encapsulado PQFN diseñado para montaje en superficie.
¿Qué rango térmico puede soportar durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C.
¿Cómo afecta su tensión directa a la eficiencia?
Su tensión directa de 0,9 V reduce la caída de tensión durante la conducción, afectando a las pérdidas generales del sistema.
¿Es adecuado para diseños cualificados para automoción?
No está cualificado conforme a los estándares de automoción y no debe seleccionarse cuando se requiera certificación de automoción.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 159 A, PQFN
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 259 A, PQFN
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 3.4 A, PQFN
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 22 A, PQFN
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3.6 A, PQFN