MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH7440TRPBF, VDSS 40 V, ID 159 A, PQFN

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

7,32 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 3930 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 451,464 €7,32 €
50 - 1201,318 €6,59 €
125 - 2451,228 €6,14 €
250 - 4951,142 €5,71 €
500 +1,054 €5,27 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
257-9382
Referência do fabricante:
IRFH7440TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

159A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

92nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6 mm

Estándar de automoción

No

La serie IRFH de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 40 V en un encapsulado PQFN 5x6. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Amplia cartera disponible

Links relacionados