MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PQFN de 4 pines
- Código RS:
- 222-4746
- Referência do fabricante:
- IRFH8311TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4746
- Referência do fabricante:
- IRFH8311TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6.15mm | |
| Altura | 1.17mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6.15mm | ||
Altura 1.17mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
RDSon bajo (<1,15 mΩ)
Baja resistencia térmica a PCB (<0,8 °C/W)
Probado 100 % RG
Perfil bajo (<0,9 mm)
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