MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLHS6376TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.6 A, PQFN
- Código RS:
- 257-9447
- Referência do fabricante:
- IRLHS6376TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
3,06 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 3980 unidade(s) para enviar a partir do dia 08 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,306 € | 3,06 € |
| 100 - 240 | 0,292 € | 2,92 € |
| 250 - 490 | 0,26 € | 2,60 € |
| 500 - 990 | 0,184 € | 1,84 € |
| 1000 + | 0,162 € | 1,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-9447
- Referência do fabricante:
- IRLHS6376TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.9W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.9W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRLHS de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de canal N doble de 30 V en un encapsulado PQFN 2x2. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
RDS bajo (encendido) en un encapsulado pequeño
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3.6 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 22 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 85 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 159 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 3.4 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 117 A, PQFN
