MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 22 A, PQFN

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

648,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 4000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
4000 - 40000,162 €648,00 €
8000 +0,154 €616,00 €

*preço indicativo

Código RS:
257-9444
Referência do fabricante:
IRLHS6242TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Disipación de potencia máxima Pd

9.6W

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRLHS de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de 20 V de canal N en un encapsulado PQFN 2x2. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

RDS bajo (encendido) en un encapsulado pequeño

Links relacionados