MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 259 A, PQFN

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Código RS:
257-9379
Referência do fabricante:
IRFH7004TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

259A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

129nC

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

0.9mm

Longitud

5mm

Anchura

6 mm

Estándar de automoción

No

La serie IRFH de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 40 V en un encapsulado PQFN 5x6. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Amplia cartera disponible

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