MOSFET, N-Canal Infineon IAUZ40N10S5N130ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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229-1813
Referência do fabricante:
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PQFN

Serie

IAUT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Temperatura de funcionamiento máxima

+175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie IAUT de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 40 A - IAUZ40N10S5N130ATMA1


Este MOSFET es un transistor de canal N de alta corriente y modo de mejora diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de puerta robusto y una capacidad de corriente continua sustancial.

Características y ventajas:


• Valor nominal de drenaje-fuente de 100 V que permite la conversión dc-dc de mayor tensión
• Corriente de drenaje continua de 40 A que admite un funcionamiento de carga alta sostenida
• Rds(on) bajo de 13 mΩ que reduce las pérdidas de conducción durante la conmutación
• Disipación de potencia de 68 W que permite un mayor espacio térmico
• Límite de fuente de puerta de ±20 V que proporciona tolerancia para oscilaciones de accionamiento de puerta
• Rango de temperatura de −55 a +175 °C que garantiza el funcionamiento en entornos hostiles

Aplicaciones


• Adecuado para etapas de convertidor dc-dc en fuentes de alimentación
• Ideal para conmutación de alta corriente en entornos de automoción
• Se utiliza para la gestión de potencia en subsistemas de vehículos eléctricos
• Puede utilizarse para diseños de montaje en superficie que requieren encapsulado sin plomo
• Se utiliza con circuitos de gestión y distribución de baterías

¿Qué tipo de encapsulado utiliza para el montaje de placas?


Se suministra en un encapsulado PQFN sin plomo diseñado para montaje en superficie.

¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta son importantes para una conmutación fiable?


Las excursiones de puerta deben mantenerse dentro de ±20 V para evitar la tensión dieléctrica de puerta y garantizar un funcionamiento seguro.

¿Cómo afecta la gestión térmica a la capacidad de corriente continua?


La potencia nominal de disipación de 68 W indica que el dispositivo puede soportar un calor significativo, se necesitan conductos térmicos de PCB adecuados y un área de cobre para soportar una corriente de drenaje continua de 40 A.

¿Qué límites ambientales rigen su despliegue en condiciones extremas?


Está especificado para funcionar de −55 a +175 °C, lo que permite su uso en una amplia gama de temperaturas ambiente y elevadas.

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