MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7415
- Referência do fabricante:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1 512,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 2500 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,605 € | 1 512,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-7415
- Referência do fabricante:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 125nC | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 137W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 125nC | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 137W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia de automoción de canal P en encapsulado DPAK, D2PAK, TO220, TO262 y SO8 con la tecnología OptiMOS -P2 y Gen5.
Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora
No se requiere bomba de carga para accionamiento de lado alto.
Circuito de accionamiento de interfaz sencilla
El RDSon más bajo del mundo en 40V
Capacidad de corriente más alta
Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica
Links relacionados
- MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon IPD90P03P4L04ATMA2, VDSS 30 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252
- MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD85P04P407ATMA2, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252
- MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon IPD70P04P4L08ATMA2, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -50 A, Mejora, PG-TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD50P03P4L11ATMA2, VDSS -30 V, ID -50 A, Mejora, PG-TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines