MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon IPD70P04P4L08ATMA2, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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220-7412
Referência do fabricante:
IPD70P04P4L08ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

71nC

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5 V

Tensión directa Vf

-1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia de automoción de canal P en encapsulado DPAK, D2PAK, TO220, TO262 y SO8 con la tecnología OptiMOS -P2 y Gen5.

Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora

No se requiere bomba de carga para accionamiento de lado alto.

Circuito de accionamiento de interfaz sencilla

El RDSon más bajo del mundo en 40V

Capacidad de corriente más alta

Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica

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