MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon IPD90P03P4L04ATMA2, VDSS 30 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7416
- Referência do fabricante:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7416
- Referência do fabricante:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 125nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 137W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5V | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 125nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 137W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5V | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia de automoción de canal P en encapsulado DPAK, D2PAK, TO220, TO262 y SO8 con la tecnología OptiMOS -P2 y Gen5.
Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora
No se requiere bomba de carga para accionamiento de lado alto.
Circuito de accionamiento de interfaz sencilla
El RDSon más bajo del mundo en 40V
Capacidad de corriente más alta
Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica
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