MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1 302,50 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 +0,521 €1 302,50 €

*preço indicativo

Código RS:
258-3865
Referência do fabricante:
IPD85P04P407ATMA2
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-85A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, DIN IEC 68-1

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

No se necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto

Circuito de controlador de interfaz sencilla

Capacidad de corriente más alta

Links relacionados