MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 229-1741
- Referência do fabricante:
- AUIRFR5410TRL
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 229-1741
- Referência do fabricante:
- AUIRFR5410TRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | AUIRF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 205mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 66W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Anchura | 6.73 mm | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie AUIRF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 205mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 66W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Anchura 6.73 mm | ||
Longitud 6.22mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal P Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que se conoce la potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y en una amplia variedad de otras aplicaciones.
No tiene plomo
Cumple con RoHS
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