MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

4 140,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 15 de junho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +1,38 €4 140,00 €

*preço indicativo

Código RS:
229-1741
Referência do fabricante:
AUIRFR5410TRL
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

AUIRF

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

205mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Disipación de potencia máxima Pd

66W

Tensión directa Vf

-1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.39mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal P Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente por el que se conoce la potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y en una amplia variedad de otras aplicaciones.

No tiene plomo

Cumple con RoHS

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.