MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7410
- Referência do fabricante:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7410
- Referência do fabricante:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia de automoción de canal P en encapsulado DPAK, D2PAK, TO220, TO262 y SO8 con la tecnología OptiMOS -P2 y Gen5.
Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora
No se requiere bomba de carga para accionamiento de lado alto.
Circuito de accionamiento de interfaz sencilla
El RDSon más bajo del mundo en 40V
Capacidad de corriente más alta
Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica
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