MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD50P03P4L11ATMA2, VDSS -30 V, ID -50 A, Mejora, PG-TO-252

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

2,33 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 2428 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 181,165 €2,33 €
20 - 481,04 €2,08 €
50 - 980,965 €1,93 €
100 - 1980,905 €1,81 €
200 +0,58 €1,16 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
258-3842
Referência do fabricante:
IPD50P03P4L11ATMA2
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

PG-TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Disipación de potencia máxima Pd

58W

Tensión directa Vf

-1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-0.31 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

Circuito de controlador de interfaz sencilla

RDSon más bajo del mundo a 40 V

Capacidad de corriente más alta

Links relacionados