MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, DirectFET de 7 pines
- Código RS:
- 214-8949
- Referência do fabricante:
- AUIRF7675M2TR
- Fabricante:
- Infineon
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- 214-8949
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- AUIRF7675M2TR
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 56mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Altura | 0.74mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.05mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 56mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.35mm | ||
Altura 0.74mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.05mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET de automoción con la Advanced plataforma de encapsulado para producir una pieza de su clase para aplicaciones de amplificador de audio de automoción de clase D. El encapsulado es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y fase de vapor, técnicas de soldadura por convección o infrarrojos, etc. el encapsulado permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación de automoción. Estas características se combinan para convertir este MOSFET en un componente muy deseable en sistemas de amplificador de audio de clase D de automoción.
Tecnología de procesos avanzados
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
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