MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 124 A, Mejora, DirectFET

Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de orificio pasante diseñado para conmutación de alta corriente en sistemas eléctricos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para condiciones industriales y cumple las restricciones ambientales de RoHS. El componente se suministra en un encapsulado DirectFET diseñado para aplicaciones que requieren una gestión térmica eficiente y una integración de placa compacta.

• La RDS(on) de 3,50 mΩ reduce las pérdidas por conducción para una mayor eficiencia
• El VDS de 100 V permite el funcionamiento en topologías de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 124 A admite un suministro de alta potencia
• La tensión directa VF de 1,3 V ayuda a un control preciso de puerta a fuente
• El rango de temperatura de –55 a +175 °C garantiza una tolerancia térmica ampliada

• Apto para sistemas de alimentación y control de motores
• Se utiliza con bastidores de distribución de potencia dc de alta corriente
• Ideal para etapas de convertidores e inversores industriales
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la regulación de carga

Utiliza un encapsulado DirectFET para facilitar una baja resistencia térmica y una transferencia de calor eficiente.

El dispositivo está diseñado para montaje en orificio pasante para proporcionar una conexión mecánica y térmica robusta.

No está especificado como pieza estándar de automoción y, por tanto, debe evaluarse en función de los requisitos específicos del vehículo.

La pieza es un dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora, adecuado para interruptores de lado alto o lado bajo comunes.

Cumple la directiva RoHS, lo que indica la restricción de determinadas sustancias peligrosas.