MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF7675M2TR, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, DirectFET de 7 pines
- Código RS:
- 214-8950
- Referência do fabricante:
- AUIRF7675M2TR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-8950
- Referência do fabricante:
- AUIRF7675M2TR
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 56mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 0.74mm | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.05 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 56mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 0.74mm | ||
Longitud 6.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.05 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET de automoción con la Advanced plataforma de encapsulado para producir una pieza de su clase para aplicaciones de amplificador de audio de automoción de clase D. El encapsulado es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y fase de vapor, técnicas de soldadura por convección o infrarrojos, etc. el encapsulado permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación de automoción. Estas características se combinan para convertir este MOSFET en un componente muy deseable en sistemas de amplificador de audio de clase D de automoción.
Tecnología de procesos avanzados
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
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